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新能源汽车逆变器用深沟槽MOSFET模块的研发

评论:0 发布时间:2018-04-16 17:01:00.0
行业分类:制造业
合作方式:委托开发
所属地区:浙江省丽水市
需求紧急程度:中等
投资预算: 面议
有效期:2018-04-16 11:00:35.0至2018-06-30 11:00:38.0
  • 信息描述
遇到技术难题内容 遇到的技术难题: 1、深沟槽 MOSFET结构,高度集成的封装形式设计研究; 2、研究晶圆的真空共晶焊接与空洞范围控制工艺; 3、铝层铝线的超声键合工艺;
需要达到的技术指标、技术需求 需要达到的技术指标: 额定电流 680A 额定电压 100V 导通电阻 1.2mΩ 极间电容 Cir 4.6np
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